Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Method of bonding a semiconductor device to a support substrate | |
其他题名 | Method of bonding a semiconductor device to a support substrate |
ZOU, QUANBO; AKRAM, SALMAN; BHAT, JEROME CHANRA | |
2016-05-17 | |
专利权人 | LUMILEDS LLC |
公开日期 | 2016-05-17 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A method according to embodiments of the invention includes providing a wafer of semiconductor devices grown on a growth substrate. The wafer of semiconductor devices has a first surface and a second surface opposite the first surface. The second surface is a surface of the growth substrate. The method further includes bonding the first surface to a first wafer and bonding the second surface to a second wafer. In some embodiments, the first and second wafer each have a different coefficient of thermal expansion than the growth substrate. In some embodiments, the second wafer may compensate for stress introduced to the wafer of semiconductor devices by the first wafer. |
其他摘要 | 根据本发明实施例的方法包括提供在生长衬底上生长的半导体器件的晶片。半导体器件的晶片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面是生长衬底的表面。该方法还包括将第一表面结合到第一晶片并将第二表面结合到第二晶片。在一些实施例中,第一和第二晶片各自具有与生长衬底不同的热膨胀系数。在一些实施例中,第二晶片可以补偿由第一晶片引入半导体器件的晶片的应力。 |
授权日期 | 2016-05-17 |
申请日期 | 2012-07-10 |
专利号 | US9343612 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | US14/131207 |
公开(公告)号 | US9343612 |
IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L33/62 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37598 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | LUMILEDS LLC |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ZOU, QUANBO,AKRAM, SALMAN,BHAT, JEROME CHANRA. Method of bonding a semiconductor device to a support substrate. US9343612[P]. 2016-05-17. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US9343612.PDF(772KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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