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Method of bonding a semiconductor device to a support substrate
其他题名Method of bonding a semiconductor device to a support substrate
ZOU, QUANBO; AKRAM, SALMAN; BHAT, JEROME CHANRA
2016-05-17
专利权人LUMILEDS LLC
公开日期2016-05-17
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A method according to embodiments of the invention includes providing a wafer of semiconductor devices grown on a growth substrate. The wafer of semiconductor devices has a first surface and a second surface opposite the first surface. The second surface is a surface of the growth substrate. The method further includes bonding the first surface to a first wafer and bonding the second surface to a second wafer. In some embodiments, the first and second wafer each have a different coefficient of thermal expansion than the growth substrate. In some embodiments, the second wafer may compensate for stress introduced to the wafer of semiconductor devices by the first wafer.
其他摘要根据本发明实施例的方法包括提供在生长衬底上生长的半导体器件的晶片。半导体器件的晶片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面是生长衬底的表面。该方法还包括将第一表面结合到第一晶片并将第二表面结合到第二晶片。在一些实施例中,第一和第二晶片各自具有与生长衬底不同的热膨胀系数。在一些实施例中,第二晶片可以补偿由第​​一晶片引入半导体器件的晶片的应力。
授权日期2016-05-17
申请日期2012-07-10
专利号US9343612
专利状态授权
申请号US14/131207
公开(公告)号US9343612
IPC 分类号H01L33/00 | H01L33/62
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37598
专题半导体激光器专利数据库
作者单位LUMILEDS LLC
推荐引用方式
GB/T 7714
ZOU, QUANBO,AKRAM, SALMAN,BHAT, JEROME CHANRA. Method of bonding a semiconductor device to a support substrate. US9343612[P]. 2016-05-17.
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