Dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device

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	Dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device
其他题名	Dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device
	TANAKA, SHUMPEI; MATSUMURA, TAKESHI
	2015-09-22
专利权人	NITTO DENKO CORPORATION
公开日期	2015-09-22
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The present invention provides a dicing die bond film in which yielding and breaking of the dicing film are prevented and in which the die bond film can be suitably broken with a tensile force. In the dicing die bond film of the present invention, the tensile strength of the contact part in which the outer circumference of the push-up jig contacts the dicing film at 25° C. is 15 N or more and 80 N or less and the yield point elongation is 80% or more, the tensile strength of the wafer bonding part of the dicing film at 25° C. is 10 N or more and 70 N or less and the yield point elongation is 30% or more, [(the tensile strength of the contact part)−(the tensile strength of the wafer bonding part)] is 0 N or more and 60 N or less, and the breaking elongation rate of the die bond film at 25° C. is more than 40% and 500% or less.
其他摘要	本发明提供一种切割模片粘合膜，其中防止了切割膜的屈服和断裂，并且其中模片粘合膜可以用拉力适当地破坏。在本发明的切割/芯片接合薄膜中，上推夹具的外周与25℃的切割薄膜接触的接触部的拉伸强度为15N以上且80N以下。屈服点伸长率为80％以上，切割薄膜的晶片接合部在25℃下的拉伸强度为10N以上且70N以下，屈服点伸长率为30％以上，[（接触部分的拉伸强度） - （晶片接合部分的拉伸强度）]为0N以上且60N以下，并且芯片接合膜在25℃下的断裂伸长率大于40％和500％或更少。
授权日期	2015-09-22
申请日期	2011-09-21
专利号	US9142457
专利状态	失效
申请号	US13/876199
公开（公告）号	US9142457
IPC 分类号	H01L21/78 \| H01L23/00 \| H01L21/683 \| H01L23/31
专利代理人	-
代理机构	KNOBBE MARTENS OLSON & BEAR LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37546
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NITTO DENKO CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	TANAKA, SHUMPEI,MATSUMURA, TAKESHI. Dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device. US9142457[P]. 2015-09-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US9142457.PDF（2188KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文