Methods and structures for forming integrated semiconductor structures

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	Methods and structures for forming integrated semiconductor structures
其他题名	Methods and structures for forming integrated semiconductor structures
	SADAKA, MARIAM; IONUT, RADU
	2015-05-19
专利权人	SOITEC
公开日期	2015-05-19
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The invention provides methods and structures for fabricating a semiconductor structure and particularly for forming a semiconductor structure with improved planarity for achieving a bonded semiconductor structure comprising a processed semiconductor structure and a number of bonded semiconductor layers. Methods for forming semiconductor structures include forming a dielectric layer over a non-planar surface of a processed semiconductor structure, planarizing a surface of the dielectric layer on a side thereof opposite the processed semiconductor structure, and attaching a semiconductor structure to the planarized surface of the dielectric layer. Semiconductor structures include a dielectric layer overlaying a non-planar surface of a processed semiconductor structure, and a masking layer overlaying the dielectric layer on a side thereof opposite the processed semiconductor structure. The masking layer includes a plurality of mask openings over conductive regions of the non-planar surface of the processed semiconductor structure.
其他摘要	本发明提供用于制造半导体结构的方法和结构，特别是用于形成具有改善的平面性的半导体结构，以实现包括经处理的半导体结构和多个键合的半导体层的键合半导体结构。用于形成半导体结构的方法包括在经处理的半导体结构的非平面表面上方形成介电层，在与经处理的半导体结构相对的一侧上平坦化介电层的表面，以及将半导体结构附接到所述半导体结构的平坦化表面。介电层。半导体结构包括覆盖处理过的半导体结构的非平面表面的介电层，以及在与处理过的半导体结构相对的一侧上覆盖介电层的掩模层。掩模层包括在经处理的半导体结构的非平面表面的导电区域上方的多个掩模开口。
授权日期	2015-05-19
申请日期	2011-01-04
专利号	US9034727
专利状态	授权
申请号	US13/522628
公开（公告）号	US9034727
IPC 分类号	H01L21/30 \| H01L21/46 \| H01L21/3105 \| H01L23/00 \| H01L23/31 \| H01L25/00 \| H01L25/065
专利代理人	-
代理机构	TRASKBRITT
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37491
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SOITEC
推荐引用方式 GB/T 7714	SADAKA, MARIAM,IONUT, RADU. Methods and structures for forming integrated semiconductor structures. US9034727[P]. 2015-05-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US9034727.PDF（1841KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文