Vertical-structure semiconductor light emitting element and a production method therefor

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	Vertical-structure semiconductor light emitting element and a production method therefor
其他题名	Vertical-structure semiconductor light emitting element and a production method therefor
	SEONG, TAE YEON
	2015-01-13
专利权人	LG INNOTEK CO., LTD.
公开日期	2015-01-13
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The present invention relates to a vertical-structure semiconductor light emitting device and a production method thereof, more specifically, to a vertical-structure semiconductor light emitting device having a high-performance heat sink support comprising a thick metal film or metal foil. The vertical-structure semiconductor light emitting element produced in accordance with the present invention constitutes a highly reliable light emitting element with absolutely no thermal or mechanical damage since it has the high performance heatsink support and so suffers not fine micro-cracking and can be freely subjected to heat treatment and to post-processing including of a side-surface passivation thin film.
其他摘要	垂直结构半导体发光器件及其制造方法技术领域本发明涉及一种垂直结构半导体发光器件及其制造方法，更具体地，涉及一种具有包括厚金属膜或金属箔的高性能散热器支撑件的垂直结构半导体发光器件。根据本发明制造的垂直结构半导体发光元件构成高度可靠的发光元件，由于它具有高性能散热器支撑，因此绝对没有热或机械损坏，因此不会产生微细的微裂纹并且可以自由地受到影响。热处理和包括侧表面钝化薄膜的后处理。
授权日期	2015-01-13
申请日期	2010-11-23
专利号	US8932890
专利状态	授权
申请号	US13/505618
公开（公告）号	US8932890
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00 \| H01L33/64
专利代理人	-
代理机构	KED & ASSOCIATES, LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37485
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG INNOTEK CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	SEONG, TAE YEON. Vertical-structure semiconductor light emitting element and a production method therefor. US8932890[P]. 2015-01-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US8932890.PDF（1443KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文