Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Integrated tapered diode laser arrangement and method for producing it | |
其他题名 | Integrated tapered diode laser arrangement and method for producing it |
EBERHARD, FRANZ; SCHLERETH, THOMAS; SCHMID, WOLFGANG | |
2011-02-08 | |
专利权人 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
公开日期 | 2011-02-08 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | An integrated tapered diode laser arrangement comprises an injector region (2) and a region (3) which is optically coupled to the injector region and expands in a cross section. At least one of said regions (2, 3) has a quantum well structure with a plurality of semiconductor materials, wherein the semiconductor materials are intermixed at least in one region (21, 31). The intermixed region (21, 31) has a larger electrical band gap than a non-intermixed region. |
其他摘要 | 集成的锥形二极管激光器装置包括注入区域(2)和区域(3),区域(3)光学耦合到注入区域并且在横截面中扩展。所述区域(2,3)中的至少一个具有带有多个半导体材料的量子阱结构,其中半导体材料至少在一个区域(21,31)中混合。混合区域(21,31)具有比非混合区域更大的电带隙。 |
授权日期 | 2011-02-08 |
申请日期 | 2008-02-27 |
专利号 | US7885302 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | US12/072761 |
公开(公告)号 | US7885302 |
IPC 分类号 | H01S3/04 | H01S5/00 |
专利代理人 | - |
代理机构 | COHEN PONTANI LIEBERMAN & PAVANE LLP |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37365 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
推荐引用方式 GB/T 7714 | EBERHARD, FRANZ,SCHLERETH, THOMAS,SCHMID, WOLFGANG. Integrated tapered diode laser arrangement and method for producing it. US7885302[P]. 2011-02-08. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US7885302.PDF(628KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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