Integrated tapered diode laser arrangement and method for producing it

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	Integrated tapered diode laser arrangement and method for producing it
其他题名	Integrated tapered diode laser arrangement and method for producing it
	EBERHARD, FRANZ; SCHLERETH, THOMAS; SCHMID, WOLFGANG
	2011-02-08
专利权人	OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
公开日期	2011-02-08
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An integrated tapered diode laser arrangement comprises an injector region (2) and a region (3) which is optically coupled to the injector region and expands in a cross section. At least one of said regions (2, 3) has a quantum well structure with a plurality of semiconductor materials, wherein the semiconductor materials are intermixed at least in one region (21, 31). The intermixed region (21, 31) has a larger electrical band gap than a non-intermixed region.
其他摘要	集成的锥形二极管激光器装置包括注入区域（2）和区域（3），区域（3）光学耦合到注入区域并且在横截面中扩展。所述区域（2,3）中的至少一个具有带有多个半导体材料的量子阱结构，其中半导体材料至少在一个区域（21,31）中混合。混合区域（21,31）具有比非混合区域更大的电带隙。
授权日期	2011-02-08
申请日期	2008-02-27
专利号	US7885302
专利状态	授权
申请号	US12/072761
公开（公告）号	US7885302
IPC 分类号	H01S3/04 \| H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	COHEN PONTANI LIEBERMAN & PAVANE LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37365
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
推荐引用方式 GB/T 7714	EBERHARD, FRANZ,SCHLERETH, THOMAS,SCHMID, WOLFGANG. Integrated tapered diode laser arrangement and method for producing it. US7885302[P]. 2011-02-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7885302.PDF（628KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文