Bonding scheme using group VB metallic layer

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	Bonding scheme using group VB metallic layer
其他题名	Bonding scheme using group VB metallic layer
	BACON, DONALD D.; CHEN, CHENG-HSUAN; CHEN, HO S.; KATZ, AVISHAY; TAI, KING L.
	1997-04-22
专利权人	BELL SEMICONDUCTOR, LLC
公开日期	1997-04-22
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method for bonding one body to another, such as a laser device to a submount, uses a metallic layer composed of a Group VB metal, such as niobium, sandwiched between a non-metallic layer and solder layer formed by an approximate Au-Sn eutectic layer. Advantageously the Group VB layer is formed at a submount temperature of less than approximately 201 DEG C., advantageously less than approximately 125 DEG C., and preferably less than approximately 101 DEG C.-advantageously to a thickness in the approximate range 0.05 mu m to 0.2 mu m, or even thinner if pinholes do not develop. The non-metallic layer is located on one of the bodies, and the other body has a metallic coating advantageously capped with an Au layer.
其他摘要	将一个主体与另一个主体（例如激光器件）结合到基座的方法使用由诸如铌的VB族金属组成的金属层，夹在非金属层和由近似Au-Sn形成的焊料层之间。共晶层。有利地，VB族层的底座温度低于约201℃，有利地低于约125℃，优选低于约101℃，有利地厚度约为0.05μm。如果针孔不发展，则为0.2微米，甚至更薄。非金属层位于其中一个主体上，另一个主体具有金属涂层，有利地覆盖有Au层。
授权日期	1997-04-22
申请日期	1995-05-10
专利号	US5622305
专利状态	失效
申请号	US08/438296
公开（公告）号	US5622305
IPC 分类号	B23K35/00 \| H01L21/02 \| H01L23/14 \| H01L21/58 \| H01L23/34 \| H01L23/373 \| H01L23/12 \| B23K31/02 \| B23K1/20
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/36252
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	BELL SEMICONDUCTOR, LLC
推荐引用方式 GB/T 7714	BACON, DONALD D.,CHEN, CHENG-HSUAN,CHEN, HO S.,et al. Bonding scheme using group VB metallic layer. US5622305[P]. 1997-04-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5622305.PDF（119KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文