Semiconductor devices

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	Semiconductor devices
其他题名	Semiconductor devices
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	1974-07-17
专利权人	WESTERN ELECTRIC CO INC
公开日期	1974-07-17
授权国家	英国
专利类型	授权发明
摘要	1360073 Electroluminescence WESTERN ELECTRIC CO Inc 29 Nov 1971 [30 Nov 1970 10 May 1971] 55273/71 Heading C4S [Also in Division H1] The operating life of a Ga-containing PN junction light-emitting device is increased by thermally oxidizing the semi-conductor body in an aqueous oxidizing medium to form a film 16 of gallium oxide at least 100 and baking the device to expel excess moisture from the film 16. The device may emit coherent or non-coherent light, and suitable semi-conductor materials are GaP, GaAs, GaAsP, GaAlAs, AlGaP, InGaAs and InGaP. The GaP device shown comprises an N-type substrate 11 on which are formed, by liquid phase epitaxy or diffusion, a Te-doped N-type layer 12 and a Zn and O-doped P-type layer 13. The device is bonded to a header by a Si-Au preform and a Be-Au electrode 15 is provided on the layer 13. The gallium oxide film 16 is formed, after etching and rinsing, by immersion in an aqueous H 2 O 2 solution. Oxide formation is enhanced by the presence of a noble metal catalyst, either in the solution or bonded to the semi-conductor, e.g. as one of the electrodes, and excess moisture is driven off by heating at progressively higher temperatures up to 150-350 C. An additional glassy layer 17 of SiO 2 improves the passivating properties of the gallium oxide film 16. The invention may also be applied to PNPN light-emitting devices. Boiling water may also be used as the oxidizing medium. Telephone and other uses are disclosed.
其他摘要	1360073 Electroluminescence WESTERN ELECTRIC CO Inc 1971年11月29日[1970年11月30日1971年5月10日] 55273/71标题C4S [同样在H1部分]含Ga的PN结发光器件的工作寿命通过热氧化半导体而增加导体在含水氧化介质中形成氧化镓薄膜16至少100并烘烤该装置以从薄膜16中排出多余的水分。该装置可发射相干或非相干光，合适的半导体材料是GaP ，GaAs，GaAsP，GaAlAs，AlGaP，InGaAs和InGaP。所示的GaP器件包括N型衬底11，在其上通过液相外延或扩散形成Te掺杂的N型层12和Zn和O掺杂的P型层13。通过Si-Au预制件将器件接合到头部，并且在层13上提供Be-Au电极15.在蚀刻和漂洗之后，通过浸入H 2 O 2水溶液中形成氧化镓膜16。。通过贵金属催化剂的存在增强氧化物的形成，所述贵金属催化剂在溶液中或与半导体结合，例如，作为电极之一，通过在高达150-350℃的逐渐升高的温度下加热来驱除多余的水分。另外的SiO 2玻璃层17改善了氧化镓膜16的钝化性能。本发明也可以应用到PNPN发光器件。沸水也可用作氧化介质。电话和其他用途是披露。
授权日期	1974-07-17
申请日期	1971-11-29
专利号	GB1360073A
专利状态	失效
申请号	GB1971055273
公开（公告）号	GB1360073A
IPC 分类号	H01L23/29 \| H01L21/02 \| H01L21/316 \| H01L33/00 \| H01L23/28 \| H01L33/44 \| H05B33/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35689
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	WESTERN ELECTRIC CO INC
推荐引用方式 GB/T 7714	-. Semiconductor devices. GB1360073A[P]. 1974-07-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
GB1360073A.PDF（455KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文