Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module | |
其他题名 | Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module |
HATORI, MASAMI | |
2004-12-28 | |
专利权人 | FUJIFILM CORPORATION |
公开日期 | 2004-12-28 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A semiconductor laser module is formed by directly bonding a semiconductor laser, which has a wavelength tuning mechanism, and an optical wavelength conversion element which exits laser beam of the second harmonic with the wavelength of the exited laser beam being the fundamental wave. A center wavelength of stimulated emission of the semiconductor laser is tunable, and is locked so as to coincide with a phase matching wavelength of the optical wavelength conversion element. The semiconductor laser and the optical wavelength conversion element are directly bonded together at an end surface portion of an optical wavelength of the optical wavelength conversion element. |
其他摘要 | 半导体激光器模块通过直接键合半导体激光器和光波长转换元件而形成,所述半导体激光器具有波长调谐机构,所述光波长转换元件以所述激发光束的波长为基波的二次谐波激光束射出。半导体激光器的受激发射的中心波长是可调的,并且被锁定以便与光学波长转换元件的相位匹配波长一致。半导体激光器和光波长转换元件在光波长转换元件的光波长的端面部分处直接接合在一起。 |
授权日期 | 2004-12-28 |
申请日期 | 2000-03-23 |
专利号 | US6836497 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | US09/533678 |
公开(公告)号 | US6836497 |
IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/00 | G02F1/35 | H01S5/026 | H01S5/06 |
专利代理人 | - |
代理机构 | SUGHRUE MION,PLLC |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35339 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FUJIFILM CORPORATION |
推荐引用方式 GB/T 7714 | HATORI, MASAMI. Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module. US6836497[P]. 2004-12-28. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US6836497.PDF(234KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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