Infrared and blue stacked laser diode array by wafer fusion

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Infrared and blue stacked laser diode array by wafer fusion
其他题名	Infrared and blue stacked laser diode array by wafer fusion
	FLOYD, PHILIP D.
	2000-08-15
专利权人	XEROX CORPORATION
公开日期	2000-08-15
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An an infrared laser structure has an inverted or p-side down orientation. The infrared laser structure is inverted and wafer fused to a blue laser structure to form an infrared/blue monolithic laser structure. The top semiconductor layer of the inverted infrared stack laser structure is a GaInP fusion bonding layer which will be wafer fused to the top semiconductor layer of the blue laser structure which is a GaN cladding/contact layer.
其他摘要	红外激光器结构具有倒置或p侧向下取向。将红外激光器结构倒置并将晶片熔合到蓝色激光器结构以形成红外/蓝色单片激光器结构。倒置红外堆叠激光器结构的顶部半导体层是GaInP熔融粘合层，其将晶片熔合到蓝色激光器结构的顶部半导体层，该蓝色激光器结构是GaN包层/接触层。
授权日期	2000-08-15
申请日期	1998-01-07
专利号	US6104740
专利状态	失效
申请号	US09/003202
公开（公告）号	US6104740
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/00 \| H01S3/14
专利代理人	-
代理机构	PROPP, WILLIAM
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35223
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XEROX CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	FLOYD, PHILIP D.. Infrared and blue stacked laser diode array by wafer fusion. US6104740[P]. 2000-08-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6104740.PDF（100KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文