Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザダイオード | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザダイオード |
| 山田 孝夫; 中村 修二 | |
| 2002-05-24 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2002-07-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 窒化物半導体レーザダイオードの放熱性を向上させ、しきい値の上昇の抑制、寿命特性の向上を達成させることである。 【構成】 同一面側に一対の正電極及び負電極を設けてなる窒化物半導体レーザダイオードにおいて、正電極及び負電極を有する面に正電極及び負電極を形成するのとは別に、放熱体に接触可能な形状で形成された窒化物半導体層を有してなる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过一种方法来增强氮化物半导体激光二极管的散热性能，其中，与形成在包括正电极和负电极的面上的正电极和负电极分开，氮化物形成的半导体层形成为能够与散热体接触的形状。解决方案：将n型层2，有源层3和p型层4层叠在基板1上，将作为负极的n欧姆电极11安装在凹槽中的n型氮化物半导体层上这是通过蚀刻处理形成的，并且作为正电极的p欧姆电极12安装在未蚀刻的突起中的p型氮化物半导体层上。然后，除了形成n欧姆电极11和p欧姆电极12之外，通过蚀刻操作不去除n欧姆电极11左侧附近的氮化物半导体层。如图所示，形成了散热部件30，散热部件30形成为能够与散热器40接触的形状。由此，可以获得其散热性能得到改善的氮化物半导体激光二极管，其抑制了阈值的上升并且可以提高其寿命特性。 |
| 授权日期 | 2002-05-24 |
| 申请日期 | 1997-02-21 |
| 专利号 | JP3309953B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997036791 |
| 公开（公告）号 | JP3309953B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35173 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫,中村 修二. 窒化物半導体レーザダイオード. JP3309953B2[P]. 2002-05-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3309953B2.PDF（29KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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