Mode locked laser with negative differential resistance diode

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Mode locked laser with negative differential resistance diode
其他题名	Mode locked laser with negative differential resistance diode
	SHEN, JUN; JIANG, WENBIN
	1998-06-09
专利权人	SEIKO EPSON CORPORATION
公开日期	1998-06-09
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An NDR diode (103) having a first electrical contact (105) and second electrical contact (111) is formed. A laser diode (113) having a third electrical contact and a fourth electrical contact is formed. The second electrical contact (111) of the negative differential resistance diode (103) is electrically coupled with the third.
其他摘要	形成具有第一电触点（105）和第二电触点（111）的NDR二极管（103）。形成具有第三电触点和第四电触点的激光二极管（113）。负差分电阻二极管（103）的第二电触点（111）与第三电触点（111）电耦合。
授权日期	1998-06-09
申请日期	1996-08-23
专利号	US5764679
专利状态	失效
申请号	US08/702817
公开（公告）号	US5764679
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/00 \| H01S3/098 \| H01S5/042 \| H01S5/065 \| H01S3/09
专利代理人	-
代理机构	PARSONS, EUGENE A.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35153
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	SHEN, JUN,JIANG, WENBIN. Mode locked laser with negative differential resistance diode. US5764679[P]. 1998-06-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5764679.PDF（671KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文