Thin film vanadium oxide spatial light modulators and methods

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	Thin film vanadium oxide spatial light modulators and methods
其他题名	Thin film vanadium oxide spatial light modulators and methods
	BLODGETT, DAVID W.; LANGE, CHARLES H.; MCNALLY, PHILIP J.; DUNCAN, DONALD D.
	1997-03-04
专利权人	JOHNS HOPKINS UNIVERSITY, THE
公开日期	1997-03-04
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Vanadium dioxide (VO2) based infrared spatial light modulators (SLM) in four embodiments are disclosed: (1) A VO2 thin film is deposited on a planar diode array. Each diode constitutes a "pixel" of the SLM. Power provided to a diode permits accurate thermal control about the thin film's hysteresis. Initial biasing of the diode array is required to the base of the VO2's hysteresis curve. (2) & (3) VO2 is deposited on a thermoelectric array which can be an array of doped lines of p and n type material or a conductive material between two electrical contacts. The pixels have the ability to both heat and cool the VO2 film, thereby allowing the array to be operated in a bistable mode. Bistable operation requires external biasing to the center of the VO2's hysteresis curve. (4) A VO2 thin film deposited on a substrate which is spaced a distance, L, from an array of vertical-cavity surface-emitting lasers for heating the VO2.
其他摘要	公开了四个实施例中的基于二氧化钒（VO2）的红外空间光调制器（SLM）:( 1）将VO2薄膜沉积在平面二极管阵列上。每个二极管构成SLM的“像素”。提供给二极管的功率允许对薄膜的滞后进行精确的热控制。二极管阵列的初始偏置需要VO2的滞后曲线的基础。（2）＆（3）VO2沉积在热电阵列上，该热电阵列可以是p和n型材料的掺杂线阵列或两个电触点之间的导电材料。像素具有加热和冷却VO2膜的能力，从而允许阵列以双稳态模式操作。双稳态操作需要外部偏置到VO2的滞后曲线的中心。（4）VO2薄膜沉积在基板上，该基板与垂直腔面发射激光器阵列隔开一段距离L，用于加热VO2。
申请日期	1994-04-11
专利号	US5608568
专利状态	失效
申请号	US08/225847
公开（公告）号	US5608568
IPC 分类号	G02F1/01 \| G02F1/19 \| H01S5/42 \| H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	COOCH, FRANCIS A.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35045
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	JOHNS HOPKINS UNIVERSITY, THE
推荐引用方式 GB/T 7714	BLODGETT, DAVID W.,LANGE, CHARLES H.,MCNALLY, PHILIP J.,et al. Thin film vanadium oxide spatial light modulators and methods. US5608568[P]. 1997-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5608568.PDF（738KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文