Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser

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	Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser
其他题名	Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser
	MELIGA, MARINA
	1994-01-04
专利权人	AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD.
公开日期	1994-01-04
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	In a distributed feedback semiconductor laser, the active medium has a periodic thickness variation in the light propagation direction so as to generate a periodic gain variation, while maintaining the effective refractive index constant, and has a discrete multi-quantum wire structure.
其他摘要	在分布式反馈半导体激光器中，有源介质在光传播方向上具有周期性厚度变化，以便产生周期性增益变化，同时保持有效折射率恒定，并且具有离散的多量子线结构。
申请日期	1992-05-13
专利号	US5276702
专利状态	失效
申请号	US07/882294
公开（公告）号	US5276702
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/12 \| H01S5/00 \| H01S3/08
专利代理人	-
代理机构	DUBNO, HERBERT
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34986
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	MELIGA, MARINA. Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser. US5276702[P]. 1994-01-04.