Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
超短光パルス半導体レーザ装置および波長変換型超短光パルス発生装置 | |
其他题名 | 超短光パルス半導体レーザ装置および波長変換型超短光パルス発生装置 |
雄谷 順; 藤田 俊弘 | |
1995-10-09 | |
专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
公开日期 | 1995-10-09 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | PURPOSE:To obtain short wavelength laser beam pulses having a high output and in a very short time by conducting mode locking by TM mode oscillation and coupling beam pulses with an optical guide type wave-length changing element. CONSTITUTION:Currents are injected to the active layer 10 of a semiconductor laser 16 from a power supply 38. Laser beams 40 emitted from a first end face 14 on which an antireflection film 15 is shaped are passed through a lens 42, a polarizer 44, through which only a TM polarizing component is passed, and an etalon 46 as a wave-length controller, and reflected by an external reflector 22 and fed back to the semiconductor laser 16. When inrush currents are modulated by the round trip frequency f=2L/C (in formula, C represents light velocity and L a distance between the end face 12 of the laser 16 and the reflector 22) of an external resonator, beam pulses 48 for a time (1ps or less) shorter than conventional devices are acquired. It is because the residual reflectivity of the antireflection film 18 is reduced at a TM mode. The beam pulses can be coupled directly with a wave changing element, thus acquiring short wave-length pulses having a high output. |
其他摘要 | 目的:通过TM模式振荡进行模式锁定,并通过光导型波长改变元件耦合光束脉冲,以获得具有高输出且在非常短的时间内的短波长激光束脉冲。组成:电流从电源38注入半导体激光器16的有源层10.从第一端面14发射的激光束40,其上形成有抗反射膜15,通过透镜42,偏振器44,仅通过TM偏振分量,并且标准具46作为波长控制器,并由外部反射器22反射并反馈到半导体激光器16.当通过往返频率f = 2L调制浪涌电流时外部谐振器的/ C(在公式中,C表示光速,L表示激光器16的端面12与反射器22之间的距离),获得比传统装置短一倍(1ps或更短)的光束脉冲48 。这是因为抗反射膜18的残余反射率在TM模式下降低。束脉冲可以直接与波动元件耦合,从而获得具有高输出的短波长脉冲。 |
申请日期 | 1988-11-28 |
专利号 | JP1995093475B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1988299855 |
公开(公告)号 | JP1995093475B2 |
IPC 分类号 | H01S | H01S3/137 | H01S5/10 | H01S3/08 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01S3/085 |
专利代理人 | 滝本 智之 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34861 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 雄谷 順,藤田 俊弘. 超短光パルス半導体レーザ装置および波長変換型超短光パルス発生装置. JP1995093475B2[P]. 1995-10-09. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1995093475B2.PDF(59KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[雄谷 順]的文章 |
[藤田 俊弘]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[雄谷 順]的文章 |
[藤田 俊弘]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[雄谷 順]的文章 |
[藤田 俊弘]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论