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超短光パルス半導体レーザ装置および波長変換型超短光パルス発生装置
其他题名超短光パルス半導体レーザ装置および波長変換型超短光パルス発生装置
雄谷 順; 藤田 俊弘
1995-10-09
专利权人松下電器産業株式会社
公开日期1995-10-09
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要PURPOSE:To obtain short wavelength laser beam pulses having a high output and in a very short time by conducting mode locking by TM mode oscillation and coupling beam pulses with an optical guide type wave-length changing element. CONSTITUTION:Currents are injected to the active layer 10 of a semiconductor laser 16 from a power supply 38. Laser beams 40 emitted from a first end face 14 on which an antireflection film 15 is shaped are passed through a lens 42, a polarizer 44, through which only a TM polarizing component is passed, and an etalon 46 as a wave-length controller, and reflected by an external reflector 22 and fed back to the semiconductor laser 16. When inrush currents are modulated by the round trip frequency f=2L/C (in formula, C represents light velocity and L a distance between the end face 12 of the laser 16 and the reflector 22) of an external resonator, beam pulses 48 for a time (1ps or less) shorter than conventional devices are acquired. It is because the residual reflectivity of the antireflection film 18 is reduced at a TM mode. The beam pulses can be coupled directly with a wave changing element, thus acquiring short wave-length pulses having a high output.
其他摘要目的:通过TM模式振荡进行模式锁定,并通过光导型波长改变元件耦合光束脉冲,以获得具有高输出且在非常短的时间内的短波长激光束脉冲。组成:电流从电源38注入半导体激光器16的有源层10.从第一端面14发射的激光束40,其上形成有抗反射膜15,通过透镜42,偏振器44,仅通过TM偏振分量,并且标准具46作为波长控制器,并由外部反射器22反射并反馈到半导体激光器16.当通过往返频率f = 2L调制浪涌电流时外部谐振器的/ C(在公式中,C表示光速,L表示激光器16的端面12与反射器22之间的距离),获得比传统装置短一倍(1ps或更短)的光束脉冲48 。这是因为抗反射膜18的残余反射率在TM模式下降低。束脉冲可以直接与波动元件耦合,从而获得具有高输出的短波长脉冲。
申请日期1988-11-28
专利号JP1995093475B2
专利状态失效
申请号JP1988299855
公开(公告)号JP1995093475B2
IPC 分类号H01S | H01S3/137 | H01S5/10 | H01S3/08 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01S3/085
专利代理人滝本 智之
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34861
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
雄谷 順,藤田 俊弘. 超短光パルス半導体レーザ装置および波長変換型超短光パルス発生装置. JP1995093475B2[P]. 1995-10-09.
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