Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体レ—ザ装置 | |
其他题名 | 半導体レ—ザ装置 |
山内 英樹 | |
1996-06-27 | |
专利权人 | 三洋電機株式会社 |
公开日期 | 1996-09-11 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | PURPOSE:To control relaxation oscillation of a semiconductor laser by providing the semiconductor laser and a heat generating body to increase the temperature of such laser. CONSTITUTION:A semiconductor laser 2 and a heat generating body 3 are fixedly bonded on a heat sink 1, lead wires 4-6 being individually arranged to allow currents to be supplied to the semiconductor laser 2 and the heat generating body 3, independently. The heat generating body 3 is heated by flowing a current, and by increasing the temperature of the semiconductor laser 2, the duration of a relaxation oscillation is reduced. Accordingly, when the semiconductor laser 2 is driven by a pulsed current, its relaxation oscillation can be controlled with a simple constitution, whereby high speed light modulation can be achieved using the semiconductor laser device. |
其他摘要 | 目的:通过提供半导体激光器和发热体来控制半导体激光器的弛豫振荡,以提高这种激光器的温度。组成:半导体激光器2和发热体3固定地连接在散热器1上,引线4-6分别设置,以允许电流独立地供给半导体激光器2和发热体3。通过流过电流来加热发热体3,并且通过提高半导体激光器2的温度,减小了弛豫振荡的持续时间。因此,当半导体激光器2由脉冲电流驱动时,可以用简单的结构控制其弛豫振荡,从而可以使用半导体激光器件实现高速光调制。 |
申请日期 | 1987-10-15 |
专利号 | JP2532892B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1987260256 |
公开(公告)号 | JP2532892B2 |
IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 安富 耕二 (外1名) |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34832 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三洋電機株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 山内 英樹. 半導体レ—ザ装置. JP2532892B2[P]. 1996-06-27. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2532892B2.PDF(27KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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