一种分离式超大功率半导体列阵外腔形变补偿量半量获取技术

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	一种分离式超大功率半导体列阵外腔形变补偿量半量获取技术
其他题名	一种分离式超大功率半导体列阵外腔形变补偿量半量获取技术
	蔡然
	2009-10-21
专利权人	蔡然
公开日期	2009-10-21
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供了一种超大功率半导体列阵中，克服外腔形变影响锁相质量，为避免降低锁相质量而补偿形变所需补偿量获取技术。与CCD1相关的一路测量外腔形变的子系统利用反射镜R2.1、反射镜3、变焦光学器件1、透镜1，聚焦经外腔反射的一半He-Ne激光束成像于CCD1上，由处理器1计算光斑质心、以及计算标定后的变化量，从而获取外腔镜一个方向的形变信息，并在其达到门限时，通过半量补偿量获取法获知补偿量，然后再配合相应D/A、相应高压驱动模块，驱动安装在外腔镜末端位置的相应压电补偿器PZT膨胀，补偿，从而适时补偿β在一个方向的漂移，服务于适时补偿由残余热效应等引起的外腔镜随机形变，使得采用倾斜匹配角度的外腔镜锁相的超大功率二维半导体列阵稳定地震荡于同相模，保障列阵稳定输出的高质量。
其他摘要	本发明提供了一种超大功率半导体列阵中，克服外腔形变影响锁相质量，为避免降低锁相质量而补偿形变所需补偿量获取技术。与CCD1相关的一路测量外腔形变的子系统利用反射镜R2.1、反射镜3、变焦光学器件1、透镜1，聚焦经外腔反射的一半He-Ne激光束成像于CCD1上，由处理器1计算光斑质心、以及计算标定后的变化量，从而获取外腔镜一个方向的形变信息，并在其达到门限时，通过半量补偿量获取法获知补偿量，然后再配合相应D/A、相应高压驱动模块，驱动安装在外腔镜末端位置的相应压电补偿器PZT膨胀，补偿，从而适时补偿β在一个方向的漂移，服务于适时补偿由残余热效应等引起的外腔镜随机形变，使得采用倾斜匹配角度的外腔镜锁相的超大功率二维半导体列阵稳定地震荡于同相模，保障列阵稳定输出的高质量。
申请日期	2007-07-09
专利号	CN100553054C
专利状态	失效
申请号	CN200710049475.X
公开（公告）号	CN100553054C
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/14 \| H01S5/06 \| H01S5/00 \| G02F1/35
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34623
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	蔡然
推荐引用方式 GB/T 7714	蔡然. 一种分离式超大功率半导体列阵外腔形变补偿量半量获取技术. CN100553054C[P]. 2009-10-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100553054C.PDF（577KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文