Ultraviolet laser apparatus and semiconductor exposure apparatus

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	Ultraviolet laser apparatus and semiconductor exposure apparatus
其他题名	Ultraviolet laser apparatus and semiconductor exposure apparatus
	OWA, SOICHI; OHTSUKI, TOMOKO
	2000-07-11
专利权人	NIKON CORPORATION
公开日期	2000-07-11
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An ultraviolet laser apparatus which generates laser light at 193 nm to 213 nm with high temporal and spatial coherence and relatively high power is disclosed. The UV laser apparatus provides a light source for an exposure device for optical lithography and an aberration measurement interferometer that measures lens wave front aberration. The laser apparatus disclosed herein comprises two lasers having laser resonators that are coincident along a portion of their respective optical paths. A nonlinear optical crystal is located along the shared optical path portion for sum frequency generation of the light of the respective lasers.
其他摘要	本发明公开了一种紫外激光装置，其产生193nm至213nm的激光，具有高时间和空间相干性以及相对高的功率。 UV激光装置提供用于光学光刻的曝光装置的光源和用于测量透镜波前像差的像差测量干涉仪。这里公开的激光装置包括两个激光器，它们具有沿其各自光路的一部分重合的激光谐振器。沿着共用光路部分设置非线性光学晶体，用于产生各个激光器的光的和频。
申请日期	1998-06-09
专利号	US6088379
专利状态	失效
申请号	US09/094210
公开（公告）号	US6088379
IPC 分类号	G02F1/35 \| G03F7/20 \| H01S3/109 \| H01S3/23 \| G01M11/02 \| G02F1/37 \| H01L21/027 \| H01S3/108 \| H01S3/16 \| H01S3/082
专利代理人	-
代理机构	IPSOLON LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34465
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIKON CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	OWA, SOICHI,OHTSUKI, TOMOKO. Ultraviolet laser apparatus and semiconductor exposure apparatus. US6088379[P]. 2000-07-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6088379.PDF（857KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文