雷射照射裝置，雷射照射方法，和結晶半導體膜的製造方法

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	雷射照射裝置，雷射照射方法，和結晶半導體膜的製造方法
其他题名	雷射照射裝置，雷射照射方法，和結晶半導體膜的製造方法
	田中幸一郎
	2013-04-01
专利权人	半導體能源研究所股份有限公司
公开日期	2013-04-01
授权国家	中国台湾
专利类型	授权发明
摘要	本發明的目的是提供一種使用包括電流計鏡和fθ透鏡的光學系統的精簡的雷射照射裝置以及雷射照射方法，該雷射照射裝置可以抑制由因基底背面的次級射束引起的干涉影響，從而能夠對被照射物進行均勻的雷射退火，且可以提高生產量。在本發明中，當假設形成有被照射物的基底的厚度為d，折射率為n，並將真空中的光速定義為c時，該雷射光束的脈寬t滿足不等式ct < 2nd。在上述結構中，即使使用包括電流計鏡和fθ透鏡的光學系統，也可以減少因基底背面的次級射束引起的干涉影響，從而可以對被照射物執行均勻的雷射退火。
其他摘要	本發明的目的是提供一種使用包括電流計鏡和fθ透鏡的光學系統的精簡的雷射照射裝置以及雷射照射方法，該雷射照射裝置可以抑制由因基底背面的次級射束引起的干涉影響，從而能夠對被照射物進行均勻的雷射退火，且可以提高生產量。在本發明中，當假設形成有被照射物的基底的厚度為d，折射率為n，並將真空中的光速定義為c時，該雷射光束的脈寬t滿足不等式ct < 2nd。在上述結構中，即使使用包括電流計鏡和fθ透鏡的光學系統，也可以減少因基底背面的次級射束引起的干涉影響，從而可以對被照射物執行均勻的雷射退火。
申请日期	2004-12-20
专利号	TWI392177B
专利状态	授权
申请号	TW093139665
公开（公告）号	TWI392177B
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01L21/324 \| B23K26/06 \| B23K26/08 \| H01L21/20
专利代理人	林志剛
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33919
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	半導體能源研究所股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	田中幸一郎. 雷射照射裝置，雷射照射方法，和結晶半導體膜的製造方法. TWI392177B[P]. 2013-04-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TWI392177B.PDF（3243KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文