激光器照射装置和方法以及半导体器件的制造方法

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	激光器照射装置和方法以及半导体器件的制造方法
其他题名	激光器照射装置和方法以及半导体器件的制造方法
	山崎舜平; 田中幸一郎
	2010-06-23
专利权人	株式会社半导体能源研究所
公开日期	2010-06-23
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	激光器照射装置、激光器照射方法以及半导体装置的制造方法。本发明的课题是提供一种能够显著地扩展光束点的面积，并使结晶性差的区域所占的比率下降的激光器照射装置。此外本发明的课题还涉及提供一种能够在使用连续振荡的激光器的同时提高生产率的激光器照射装置。进而，本发明的课题还涉及提供使用了该激光器照射装置的激光器照射方法以及半导体装置的制作方法。通过高次谐波的脉冲振荡的第1激光来对熔化了的区域照射连续振荡的第2激光。具体的是第1激光具有与可视光线相同程度或者短的波长(830nm，最好是780nm以下的程度)。通过根据第1激光而引起的半导体膜熔化，对第2激光的半导体膜的吸收系数就显著升高了，第2激光也变得容易被半导体膜吸收了。
其他摘要	激光器照射装置、激光器照射方法以及半导体装置的制造方法。本发明的课题是提供一种能够显著地扩展光束点的面积，并使结晶性差的区域所占的比率下降的激光器照射装置。此外本发明的课题还涉及提供一种能够在使用连续振荡的激光器的同时提高生产率的激光器照射装置。进而，本发明的课题还涉及提供使用了该激光器照射装置的激光器照射方法以及半导体装置的制作方法。通过高次谐波的脉冲振荡的第1激光来对熔化了的区域照射连续振荡的第2激光。具体的是第1激光具有与可视光线相同程度或者短的波长(830nm，最好是780nm以下的程度)。通过根据第1激光而引起的半导体膜熔化，对第2激光的半导体膜的吸收系数就显著升高了，第2激光也变得容易被半导体膜吸收了。
申请日期	2004-03-17
专利号	CN1531023B
专利状态	失效
申请号	CN200410039780.7
公开（公告）号	CN1531023B
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01L21/20 \| H01L21/324 \| H01L21/00 \| B23K26/00 \| H01S3/10 \| B23K26/06 \| B23K26/073
专利代理人	刘宗杰 \| 叶恺东
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33886
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社半导体能源研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	山崎舜平,田中幸一郎. 激光器照射装置和方法以及半导体器件的制造方法. CN1531023B[P]. 2010-06-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1531023B.PDF（2173KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文