Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
光半導体装置および光ピックアップ装置 | |
其他题名 | 光半導体装置および光ピックアップ装置 |
今泉 憲二; 志水 雄三; 茶藤 哲夫; 嶋崎 豊幸; 大澤 勝市 | |
2007-08-17 | |
专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
公开日期 | 2007-10-24 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 【課題】 発熱による光集積回路の特性変化を改善する光半導体装置を提供する。 【解決手段】 くし形リードに設けられたダイパッド1上にマウントされている半導体基板2と、一端がワイヤボンディングされた外部入出力端子5および放熱用端子8と、前記半導体基板2上に形成された受光部3と増幅回路4、前記受光部3の周囲に設けられた放熱用ボンディングパッド9と、前記半導体基板2上に形成された外部入出力用ボンディングパッド6と、外部入出力端子5と外部入出力用ボンディングパッド6および放熱用端子8と放熱用ボンディングパッド9とを結線するワイヤ7から構成される。 |
其他摘要 | 要解决的问题:提供一种光学半导体器件,其改善由于发热引起的光学集成电路的特性变化。 解决方案:该半导体器件包括安装在设置在梳形引线上的管芯焊盘1上的半导体衬底2,外部输入/输出端子5和在其一端引线键合的散热端子8,设置在光接收部分3周围的热辐射焊盘9,形成在半导体基板2上的外部输入/输出焊盘6,外部输入/输出端子5和外部输入/输出焊盘6和用于连接热辐射端子8和热辐射焊盘9的导线7。 |
申请日期 | 2002-05-15 |
专利号 | JP3997832B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP2002139624 |
公开(公告)号 | JP3997832B2 |
IPC 分类号 | H01L31/02 | H01S | H01L | G11B7/13 | G11B | H01S5/022 |
专利代理人 | 岩橋 文雄 | 内藤 浩樹 | 永野 大介 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33798 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 今泉 憲二,志水 雄三,茶藤 哲夫,等. 光半導体装置および光ピックアップ装置. JP3997832B2[P]. 2007-08-17. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP3997832B2.PDF(86KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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