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近接場半導体光プローブの製造方法
其他题名近接場半導体光プローブの製造方法
後藤 顕也
2007-12-14
专利权人学校法人東海大学
公开日期2008-02-27
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要(修正有) 【課題】本発明は、マイクロレンズの焦点位置と近接場光プローブとを精密に一致させた高効率半導体近接場プローブを提供する。 【解決手段】垂直共振器表面発光半導体レーザー素子11と、前記垂直共振器表面発光半導体レーザー素子11の出力側に同軸に配設されるマイクロレンズ21と、前記マイクロレンズと同軸にセルフアライメントにより形成される近接場光プローブ22とにより構成される。
其他摘要要解决的问题:提供一种高效的半导体近场探头,其中微透镜的焦点与近场光探头精确地重合。 ŽSOLUTION:该装置包括垂直腔表面发射激光器元件11,在垂直腔表面发射激光器元件11的输出侧同轴布置的微透镜21,以及由自身与微透镜同轴形成的近场光探测器22对准。 Ž
申请日期2002-03-14
专利号JP4052505B2
专利状态失效
申请号JP2002070499
公开(公告)号JP4052505B2
IPC 分类号H01S5/183 | H01S | G11B7/135 | G11B7/22 | G11B | H01S5/02
专利代理人鈴江 武彦 | 村松 貞男 | 橋本 良郎 | 河野 哲 | 中村 誠
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33784
专题半导体激光器专利数据库
作者单位学校法人東海大学
推荐引用方式
GB/T 7714
後藤 顕也. 近接場半導体光プローブの製造方法. JP4052505B2[P]. 2007-12-14.
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