半導体レーザ装置の実装方法

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	半導体レーザ装置の実装方法
其他题名	半導体レーザ装置の実装方法
	持田篤一; 井ノ上裕人; 中尾克; 岩田進裕; 高森晃; 足立秀人; 田村雅敏
	2008-02-29
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2008-05-21
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】半導体レーザ素子の温度上昇による寿命低下を抑制し、残留応力によるレーザ特性の劣化や半導体レーザ素子の破損を抑制する。【解決手段】加熱したコレット(4)で半導体レーザ素子(1)を保持して半導体レーザ素子の温度差を解消する。コレットの加熱を行わずに、接合部材の一部が凝固した時に半導体レーザ素子を解放してもよい。また、コレットの先端面を半導体レーザ素子よりも大きくし、半導体レーザ素子の反りを押え込む。また、コレットの半導体レーザ素子との接触部分近傍を熱伝導率の低い材質としてもよい。半導体レーザ素子の接合面の長軸辺近傍のみを接合部材で接合してもよい。共晶半田よりも融点の低い材質の接合部材を用いてもよい。
其他摘要	要解决的问题：为了防止激光特性因残余应力而劣化，半导体激光装置因半导体激光器的温度上升而导致半导体激光装置的寿命缩短而残留应力的损坏设备。解决方案：半导体激光器装置（1）保持在加热的夹头（4）上，以消除沿半导体激光器装置的温差。当接合构件的一部分固化时，可以在不加热夹头的情况下释放半导体激光装置。此外，夹头的尖端表面的尺寸比半导体激光器件的尺寸更大，以防止半导体激光器件变形。此外，夹头与半导体激光器件的接触部分附近可以由具有低导热性质的材料构成。仅半导体激光器件的长轴侧附近可以通过接合构件接合。可以使用熔点低于共晶焊料的材料质量的接合构件。
申请日期	2001-11-20
专利号	JP4087594B2
专利状态	失效
申请号	JP2001354758
公开（公告）号	JP4087594B2
IPC 分类号	B23K1/00 \| H01L \| H01S \| H01L21/52 \| B23K \| H01S5/022
专利代理人	青山葆 \| 石井久夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33762
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	持田篤一,井ノ上裕人,中尾克,等. 半導体レーザ装置の実装方法. JP4087594B2[P]. 2008-02-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4087594B2.PDF（87KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文