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半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置
其他题名半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置
ラリット·ビー·シャルマ; 竹中 裕司; 古田 啓介; 小島 哲夫; 安井 公治
2007-11-30
专利权人三菱電機株式会社
公开日期2008-02-13
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【課題】 等方的なレーザ光を出力でき、小型、フレキシブル、低コストで、しかも複数のレーザダイオードバーを積層することによる高出力化が可能な半導体レーザ光源を提供すること。 【解決手段】 半導体レーザダイオードを複数個配列してなるレーザダイオードアレイと、レーザダイオードアレイの出力レーザ光のビーム形状を整形するビーム整形器と、レーザダイオードアレイをビーム整形器に光学的に接続するレンズ系とを備えた半導体レーザ光源において、ビーム整形器中に、屈折率が中心軸から外周に向かって2次関数的に減少する透明ロッドを設ける。レーザダイオードアレイの出力レーザ光が透明ロッド内を伝搬することにより、出力レーザ光のビーム品質因子の異方性が解消される。
其他摘要要解决的问题:提供能够输出各向同性激光束的半导体激光束源,尺寸小,灵活,成本低,并且可以通过堆叠激光二极管条来增加其输出。解决方案:半导体激光束源配备有多个半导体激光二极管的激光二极管阵列,形成激光二极管阵列的输出激光束形状的光束整形器,以及将激光二极管阵列光学连接到激光二极管阵列的透镜系统。光束整形器设置有透明杆,该透明杆在光束整形器中根据次级功能从中心轴到外周边的折射率降低。激光二极管阵列的输出激光束在透明杆中传播,以消除输出激光束的光束品质因数的各向异性。
申请日期2000-03-10
专利号JP4048016B2
专利状态失效
申请号JP2000066688
公开(公告)号JP4048016B2
IPC 分类号H01S | H01S5/40 | B23K26/08 | G02B | G02B3/00 | B23K
专利代理人青山 葆
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33656
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
ラリット·ビー·シャルマ,竹中 裕司,古田 啓介,等. 半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置. JP4048016B2[P]. 2007-11-30.
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