光半導体装置

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	光半導体装置
其他题名	光半導体装置
	▲浜▼口真一; 広瀬正則; 鶴田徹; 志水雄三
	1999-11-12
专利权人	松下電子工業株式会社
公开日期	2000-01-24
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】迷光キャリアが吸収されて実際の信号より大きい信号が出力されることがなく、より正確な信号を出力することができる光半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1に設けた凹部1aの周辺に信号検出用受光素子3〜8を設け、凹部1a内に半導体レーザ素子2を搭載し、凹部1aの側面における半導体レーザ素子2と信号検出用受光素子3〜8の間に存在する側面に、遮光領域10を設ける。これによって、半導体レーザ素子2から出射された光に含まれる迷光が遮光領域10で遮光され、信号検出用受光素子3〜8の周辺において半導体基板1の表面に迷光キャリアが発生することが防がれ、迷光キャリアが信号検出用受光素子3〜8に吸収されないため、光記録媒体の信号をより正確に出力することができる。
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够输出更准确信号的光学半导体装置，不会吸收杂散光载波并且输出大于实际信号的信号。解决方案：该半导体装置具有用于在半导体基板1中设置的凹部1a周围进行信号检测的光接收元件3-8，这里半导体激光元件2安装在凹部1a中，并且该光半导体装置具有阴影。位于半导体激光器元件2和用于信号检测的光接收元件3-8之间的凹槽1a的区域10。由此，从半导体激光元件2发出的光中包含的杂散光被遮蔽区域10遮蔽，遮蔽区域10防止杂散光载体在光接收元件3-8中和周围的半导体衬底1的表面上出现。为了信号检测，杂散光载波在光接收元件3-8中不被吸收用于信号检测，因此这可以更准确地输出光学记录介质的信号。
申请日期	1998-07-13
专利号	JP3002180B1
专利状态	失效
申请号	JP1998196993
公开（公告）号	JP3002180B1
IPC 分类号	G02B6/42 \| H01L31/12 \| G11B7/12 \| G11B7/123 \| H01S5/022 \| H01L7/12 \| H01L5/022
专利代理人	宮井暎夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33594
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電子工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	▲浜▼口真一,広瀬正則,鶴田徹,等. 光半導体装置. JP3002180B1[P]. 1999-11-12.