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半導体レーザ装置及びそれを用いた光ディスク装置
其他题名半導体レーザ装置及びそれを用いた光ディスク装置
足立 秀人; 上山 智; 木戸口 勲; 上野山 雄; 萬濃 正也; 福久 敏哉
1999-07-23
专利权人松下電器産業株式会社
公开日期1999-10-06
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要-
其他摘要-
申请日期1996-03-27
专利号JP2958122B2
专利状态失效
申请号JP1996529169
公开(公告)号JP2958122B2
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/30 | G11B7/125 | H01S5/026 | H01S5/223 | H01S5/32 | G11B7/12 | H01S5/065 | G11B7/135 | H01S5/323 | H01S5/343 | G11B7/13 | G11B7/22 | H01S5/227 | H01S5/20 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人山本 秀策
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33525
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
足立 秀人,上山 智,木戸口 勲,等. 半導体レーザ装置及びそれを用いた光ディスク装置. JP2958122B2[P]. 1999-07-23.
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JP2958122B2.PDF(215KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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