Halbleiterlaservorrichtung

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	Halbleiterlaservorrichtung
其他题名	Halbleiterlaservorrichtung
	AMANO AKIRA; KITAMURA SHOJI; SHINDO YOICHI
	1999-07-15
专利权人	FUJI ELECTRIC CO. LTD.
公开日期	1999-07-15
授权国家	德国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor laser device includes a lead frame (20) for electrically controlling a laser diode element having at least one end face for emitting a laser beam and for mechanically supporting the laser diode element on a planar major surface thereof with a support member interposed therebetween. A sealing resin layer (11), transparent to the passage of the laser beam, covers at least the laser diode element on the lead frame in a sealing manner. To improve the light emitting point stability of the laser diode element, when the cross section of the planar major surface of the lead frame is parallel to the light emitting end face, a horizontal direction is the longitudinal direction of the cross section of the lead frame, a horizontal center line defines the center of the cross section of the lead frame, and a vertical center line defines the center as viewed in the vertical direction, the sealing resin layer is shaped symmetrically with respect to the vertical center line.
其他摘要	一种半导体激光装置，包括引线框架（20），用于电控制激光二极管元件，该激光二极管元件具有至少一个端面，用于发射激光束，并且用于在其平面主表面上机械地支撑激光二极管元件，其间插入有支撑构件。对激光束通过透明的密封树脂层（11）至少以密封方式覆盖引线框架上的激光二极管元件。为了提高激光二极管元件的发光点稳定性，当引线框架的平面主表面的横截面平行于发光端面时，水平方向是引线框架的横截面的纵向方向水平中心线限定引线框架的横截面的中心，垂直中心线限定沿垂直方向观察的中心，密封树脂层相对于垂直中心线对称地成形。
申请日期	1993-04-07
专利号	DE69304402T3
专利状态	失效
申请号	DE69304402
公开（公告）号	DE69304402T3
IPC 分类号	G11B7/09 \| G11B7/12 \| G11B7/125 \| G11B7/22 \| H01L33/00 \| H01S5/022 \| H01S5/028 \| H01S3/025
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33436
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJI ELECTRIC CO. LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	AMANO AKIRA,KITAMURA SHOJI,SHINDO YOICHI. Halbleiterlaservorrichtung. DE69304402T3[P]. 1999-07-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
DE69304402T3.PDF（1506KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文