边发射激光器耦合结构

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	边发射激光器耦合结构
其他题名	边发射激光器耦合结构
	何慧敏; 孙瑜; 刘丰满
	2019-04-09
专利权人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
公开日期	2019-04-09
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种边发射激光器耦合结构，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。通过本实用新型，设置在布线结构上的边发射激光器的侧向出光面便可以不经反射而直接射向待耦合器件的入光面，无需精确贴装反光器件，降低了工艺复杂度。
其他摘要	本实用新型公开了一种边发射激光器耦合结构，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。通过本实用新型，设置在布线结构上的边发射激光器的侧向出光面便可以不经反射而直接射向待耦合器件的入光面，无需精确贴装反光器件，降低了工艺复杂度。
申请日期	2018-08-01
专利号	CN208723312U
专利状态	授权
申请号	CN201821229888.6
公开（公告）号	CN208723312U
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	李博洋
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32582
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	何慧敏,孙瑜,刘丰满. 边发射激光器耦合结构. CN208723312U[P]. 2019-04-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208723312U.PDF（1502KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文