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一种风冷激光腔体
其他题名一种风冷激光腔体
郑煜; 周凤丽; 辜苏; 余乐; 何正雄; 杨冲
2018-08-28
专利权人武汉华族激光技术有限公司
公开日期2018-08-28
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型属于激光器技术领域,尤其涉及一种风冷激光腔体。该激光腔体包括底板、围板及顶板,围板安装在底板的周面边缘上,底板和围板围成一个顶部开口的箱型结构,顶板可拆卸地将开口密封,其特征在于,底板、围板以及顶板均是由抛光的金属材料制成,底板、围板以及顶板的内壁均镀有陶瓷层或氧化锆层。在本实用新型的激光腔体内装配机械器件时,不容易使激光腔体内产生划痕,进而减少粉尘以及金属颗粒物的产生,避免损害激光腔体内的光学器件,提高激光腔体内的清洁度,进而达到提高激光的稳定性输出的目的。
其他摘要本实用新型属于激光器技术领域,尤其涉及一种风冷激光腔体。该激光腔体包括底板、围板及顶板,围板安装在底板的周面边缘上,底板和围板围成一个顶部开口的箱型结构,顶板可拆卸地将开口密封,其特征在于,底板、围板以及顶板均是由抛光的金属材料制成,底板、围板以及顶板的内壁均镀有陶瓷层或氧化锆层。在本实用新型的激光腔体内装配机械器件时,不容易使激光腔体内产生划痕,进而减少粉尘以及金属颗粒物的产生,避免损害激光腔体内的光学器件,提高激光腔体内的清洁度,进而达到提高激光的稳定性输出的目的。
申请日期2018-02-01
专利号CN207782131U
专利状态授权
申请号CN201820180013.5
公开(公告)号CN207782131U
IPC 分类号H01S3/04 | H01S5/024
专利代理人刘杰
代理机构北京众达德权知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32366
专题半导体激光器专利数据库
作者单位武汉华族激光技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
郑煜,周凤丽,辜苏,等. 一种风冷激光腔体. CN207782131U[P]. 2018-08-28.
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CN207782131U.PDF(514KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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