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传导冷却高功率半导体激光器单巴器件CW工作模式下的热加速寿命试验
其他题名Thermally Accelerated Aging Test of Conduction-cooled-packaged High Power Diode Laser Bar in CW Mode
聂志强1; 王明培2; 孙玉博2; 李小宁3; 吴迪3
作者部门瞬态光学研究室
2019-09-01
发表期刊发光学报
ISSN10007032
卷号40期号:9页码:1136-1145
产权排序1
摘要

可靠性是高功率半导体激光器(HLD)的一个重要性能。热加速寿命试验是HLD寿命评价和可靠性分析的重要技术。在本文中, 我们在高温测试平台上对铟焊料封装的18个中心波长为808 nm的传导冷却型HLD单巴器件在恒定电流60 A条件下进行55, 65, 80 ℃ 3组热沉温度下的热加速寿命试验。根据器件输出功率在加速寿命测试期间的降低趋势, 得到该批HLD器件的寿命分别为1 022, 620, 298 h, 再根据Arrhenius公式得到该器件的激活能为0.565 41 eV, 从而外推得到器件在室温下的寿命为5 762 h。可见55 ℃下器件寿命加速了5倍, 而在65 ℃下寿命加速了8.5倍, 80 ℃下寿命加速17倍。此外, 我们还分析了器件热加速寿命试验后的性能。

关键词高功率半导体激光器 热加速寿命测试 可靠性 退化
DOI10.3788/fgxb20194009.1136
收录类别EI ; CSCD
语种中文
CSCD记录号CSCD:6567190
EI入藏号20194107528634
引用统计
被引频次:3[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31897
专题瞬态光学研究室
通讯作者聂志强
作者单位1.中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室;
2.中国科学院大学;
3.西安炬光科技有限公司
第一作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
通讯作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
聂志强,王明培,孙玉博,等. 传导冷却高功率半导体激光器单巴器件CW工作模式下的热加速寿命试验[J]. 发光学报,2019,40(9):1136-1145.
APA 聂志强,王明培,孙玉博,李小宁,&吴迪.(2019).传导冷却高功率半导体激光器单巴器件CW工作模式下的热加速寿命试验.发光学报,40(9),1136-1145.
MLA 聂志强,et al."传导冷却高功率半导体激光器单巴器件CW工作模式下的热加速寿命试验".发光学报 40.9(2019):1136-1145.
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