大芯径光纤预制棒和光纤的制备方法

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	大芯径光纤预制棒和光纤的制备方法
	侯超奇; 折胜飞; 李玮楠; 常畅; 赵保银; 郑锦坤; 李哲; 高菘; 张岩
	2018-11-23
专利权人	中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期	2019-03-01
授权国家	中国
专利类型	发明专利
产权排序	1
摘要	本发明涉及光纤预制棒和光纤的制备方法，具体涉及一种大芯径光纤预制棒和相应的低损耗光纤的制备方法，解决了现有技术中制备的光纤预制棒芯径小的问题。本发明大芯径光纤预制棒的制备方法为：采用改进型化学气相沉积(MCVD)结合稀土离子气相掺杂法，所有物料的沉积均在气相条件下进行，然后通过烧结、缩管工艺以获得大芯径光纤预制棒，所制备的光纤预制棒芯的组分为SiO2、Al2O3、P2O5、Yb2O3和F，棒芯直径>3mm。本发明光纤的制备方法为：选定合适的套管工艺对所制备的大芯径光纤预制棒进行套管，使其芯包比满足光纤的要求，将套完管的预制棒加工成八边形结构，在2050±20℃的温度下进行拉丝，拉制为光纤。
主权项	一种大芯径光纤预制棒的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1)将大芯径光纤预制棒芯组分SiO2、Al2O3、P2O5、Yb2O3和F的含量换算成沉积时气态反应物料的流量，在MCVD设备的控制系统中设定气态反应物料的流量及沉积层数；其中，所用的气态反应物料包括SiCl4、Al(acac)3、Yb(thd)3、POCl3、SiF4和O2； 2)将清洗干净的石英管连接至MCVD沉积床上，采用氢氧焰预热石英管；预热的同时，石英管处于旋转状态；预热完成后，通入SF6气体侵蚀石英管内壁； 3)侵蚀完成后，将气态反应物料通入转动的石英管内进行芯棒沉积；石英管的加热温度为1850℃-1950℃； 4)达到设定的沉积层数时，开始缩管，缩管过程中通入氯气；待石英管由空心管缩成实心棒，预制棒制作完成。
申请日期	2018-11-23
专利号	CN201811407377.3
语种	中文
专利状态	申请中
申请号	CN201811407377.3
公开（公告）号	CN109399910A
专利代理人	倪金荣
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31685
专题	光子功能材料与器件研究室瞬态光学研究室
作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	侯超奇,折胜飞,李玮楠,等. 大芯径光纤预制棒和光纤的制备方法. CN201811407377.3[P]. 2018-11-23.

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大芯径光纤预制棒和光纤的制备方法.pdf（5090KB）	专利		限制开放	CC BY-NC-SA	请求全文