| 一种太赫兹真空二极管及其制造方法 | |
阮存军; 戴军; 徐向晏 ; 刘虎林; 丁一坤
| |
| 2018-12-28 | |
| 专利权人 | 北京航空航天大学 ; 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2019-06-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 摘要 | 本发明实施例公开一种太赫兹真空二极管及其制造方法。其中，所述太赫兹真空二极管包括光阴极、真空通道层和阳极，在所述真空通道层设置真空通道，所述真空通道贯穿所述真空通道层，所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端，所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔，所述真空通道呈圆台状，所述光阴极与所述真空通道的接触面积小于所述阳极与所述真空通道的接触面积。本发明实施例提供的太赫兹真空二极管及其制造方法，提供了一种新的太赫兹真空电子器件。 |
| 主权项 | 一种太赫兹真空二极管，其特征在于，包括光阴极、真空通道层和阳极，其中： 在所述真空通道层设置真空通道，所述真空通道贯穿所述真空通道层，所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端，所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔，所述真空通道呈圆台状，所述光阴极与所述真空通道的接触面积小于所述阳极与所述真空通道的接触面积。 |
| 申请日期 | 2018-12-28 |
| 专利号 | CN201811621877.7 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811621877.7 |
| 公开（公告）号 | CN109860001A |
| IPC 分类号 | H01J21/04 ; H01J19/02 ; H01J19/32 ; H01J19/54 ; H01J9/12 ; H01J9/30 |
| 专利代理人 | 王莹 ; 李相雨 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31671 |
| 专题 | 瞬态光学研究室 |
| 作者单位 | 1.北京航空航天大学 2.中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阮存军,戴军,徐向晏,等. 一种太赫兹真空二极管及其制造方法. CN201811621877.7[P]. 2018-12-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种太赫兹真空二极管及其制造方法.pdf（752KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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