一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法

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	一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法
	阮存军 ; 戴军 ; 徐向晏; 刘虎林; 丁一坤
	2018-12-28
专利权人	北京航空航天大学 ; 中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期	2019-05-28
授权国家	中国
专利类型	发明专利
产权排序	2
摘要	本发明实施例公开一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法。其中，所述阵列式太赫兹真空三极管器件包括衬底和在衬底上呈阵列排布的多个太赫兹真空三极管，每个太赫兹真空三极管包括阳极、真空通道层和光阴极，阳极设置在衬底上，真空通道层包括第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，真空通道贯穿第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，门控制极设置在第一绝缘材料层和第二绝缘材料层之间，光阴极和阳极设置在真空通道的两端，门控制极和阳极之间设置第一绝缘材料层，门控制极和光阴极之间设置第二绝缘材料层。本发明实施例提供的阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法，延长了阵列式太赫兹真空三极管器件的使用寿命。
主权项	一种阵列式太赫兹真空三极管器件，其特征在于，包括衬底和多个太赫兹真空三极管，所述多个太赫兹真空三极管在所述衬底上呈阵列排布，其中：每个所述太赫兹真空三极管包括阳极、真空通道层和光阴极，所述阳极设置在所述衬底上，所述真空通道层包括第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，在所述真空通道层设置真空通道，所述真空通道贯穿所述第一绝缘材料层、所述门控制极和所述第二绝缘材料层，所述门控制极设置在所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层之间，所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端，所述门控制极和所述阳极之间设置所述第一绝缘材料层，所述门控制极和所述光阴极之间设置所述第二绝缘材料层，所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔。
申请日期	2018-12-28
专利号	CN201811621965.7
语种	中文
专利状态	申请中
申请号	CN201811621965.7
公开（公告）号	CN109817501A
IPC 分类号	H01J21/20 ; H01J21/10 ; H01J19/54 ; H01J9/12
专利代理人	王莹 ; 李相雨
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31667
专题	条纹相机工程中心
作者单位	1.北京航空航天大学 2.中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	阮存军,戴军,徐向晏,等. 一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法. CN201811621965.7[P]. 2018-12-28.

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