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可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法
其他题名可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法
张文伟
2018-12-21
专利权人中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期2018-07-31
授权国家中国
专利类型发明专利
产权排序1
摘要本发明涉及芯片测试领域,具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片,该芯片可实现集束晶圆级老化处理,免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象,提高了芯片打线的可靠性。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计,晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量,减小成本,并且可以提高老化处理的可靠性。本发明提出的一种集束晶圆级老化处理方法,该方法可有效提高芯片老化处理的可靠性,同时提高芯片的质量。一种可实现集束晶圆级老化的芯片,包括芯片,还包含两根引线,所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。
主权项一种可实现集束晶圆级老化的芯片,包括芯片(1),其特征在于: 还包含两根引线(2),两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。
学科领域H01l21/66
学科门类H01
授权日期2018-12-21
DOIH01L21
申请日期2018-03-28
专利号CN201810266977.6
语种中文
专利状态申请中
申请号CN201810266977.6
PCT属性
公开(公告)号CN108346593A
IPC 分类号H01L21/66 ; G01R31/26
专利代理人陈广民
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司
引用统计
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31047
专题其它单位_其它部门
作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张文伟. 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法. CN201810266977.6[P]. 2018-12-21.
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