OPT OpenIR  > 其它单位  > 其它部门
可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法
Alternative Title可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法
张文伟
2018-12-21
Rights Holder中国科学院西安光学精密机械研究所
Date Available2018-07-31
Country中国
Subtype发明专利
Contribution Rank1
Abstract本发明涉及芯片测试领域,具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片,该芯片可实现集束晶圆级老化处理,免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象,提高了芯片打线的可靠性。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计,晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量,减小成本,并且可以提高老化处理的可靠性。本发明提出的一种集束晶圆级老化处理方法,该方法可有效提高芯片老化处理的可靠性,同时提高芯片的质量。一种可实现集束晶圆级老化的芯片,包括芯片,还包含两根引线,所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。
Claim一种可实现集束晶圆级老化的芯片,包括芯片(1),其特征在于: 还包含两根引线(2),两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。
Subject AreaH01l21/66
MOST Discipline CatalogueH01
Copyright Date2018-12-21
DOIH01L21
Application Date2018-03-28
Patent NumberCN201810266977.6
Language中文
Status申请中
Application NumberCN201810266977.6
PCT Attributes
Open (Notice) NumberCN108346593A
IPC Classification NumberH01L21/66 ; G01R31/26
Patent Agent陈广民
Agency西安智邦专利商标代理有限公司
Citation statistics
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31047
Collection其它单位_其它部门
Affiliation中国科学院西安光学精密机械研究所
First Author Affilication中国科学院西安光学精密机械研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
张文伟. 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法. CN201810266977.6[P]. 2018-12-21.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
2018102669776.pdf(1473KB)专利 暂不开放CC BY-NC-SAApplication Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[张文伟]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[张文伟]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[张文伟]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.