Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法 | |
| 其他题名 | 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法 |
| 张文伟 | |
| 2018-12-21 | |
| 专利权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2018-07-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 摘要 | 本发明涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。本发明提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。本发明提出的一种集束晶圆级老化处理方法，该方法可有效提高芯片老化处理的可靠性，同时提高芯片的质量。一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。 |
| 主权项 | 一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片(1)，其特征在于： 还包含两根引线(2)，两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。 |
| 学科领域 | H01l21/66 |
| 学科门类 | H01 |
| 授权日期 | 2018-12-21 |
| DOI | H01L21 |
| 申请日期 | 2018-03-28 |
| 专利号 | CN201810266977.6 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201810266977.6 |
| PCT属性 | 否 |
| 公开（公告）号 | CN108346593A |
| IPC 分类号 | H01L21/66 ; G01R31/26 |
| 专利代理人 | 陈广民 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 |
| 引用统计 | |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31047 |
| 专题 | 热控技术研究室_其它单位_其它部门 |
| 作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 第一作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张文伟. 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆及相应的处理方法. CN201810266977.6[P]. 2018-12-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 2018102669776.pdf（1473KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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