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一种磁阻传感器及其制造方法
其他题名一种磁阻传感器及其制造方法
张文伟
2018-12-21
专利权人中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期2018-07-31
授权国家中国
专利类型发明专利
产权排序1
摘要本发明涉及传感器技术领域,针对现有磁阻传感器最高分辨率难以提高的问题,而提供一种磁阻传感器及其制造方法。其中磁阻传感器包括半导体衬底;绝缘层,位于半导体衬底上;第一氮化钽层,位于绝缘层上;坡莫合金层,位于所述第一氮化钽层上;第二氮化钽层,位于所述坡莫合金层上;其特殊之处在于:还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层,以及,位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。
主权项一种磁阻传感器, 包括半导体衬底; 绝缘层,位于半导体衬底上; 第一氮化钽层,位于绝缘层上; 坡莫合金层,位于所述第一氮化钽层上; 第二氮化钽层,位于所述坡莫合金层上; 其特征在于:还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层, 以及,位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。
学科领域H01l43/08
学科门类H01
授权日期2018-12-21
DOIH01L43
申请日期2018-03-28
专利号CN201810264918.5
语种中文
专利状态申请中
申请号CN201810264918.5
PCT属性
公开(公告)号CN108346738A
IPC 分类号H01L43/08 ; H01L43/12
专利代理人倪金荣
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司
引用统计
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31046
专题其它单位_其它部门
作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张文伟. 一种磁阻传感器及其制造方法. CN201810264918.5[P]. 2018-12-21.
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