OPT OpenIR  > 其它单位  > 其它部门
一种磁阻传感器及其制造方法
Alternative Title一种磁阻传感器及其制造方法
张文伟
2018-12-21
Rights Holder中国科学院西安光学精密机械研究所
Date Available2018-07-31
Country中国
Subtype发明专利
Contribution Rank1
Abstract本发明涉及传感器技术领域,针对现有磁阻传感器最高分辨率难以提高的问题,而提供一种磁阻传感器及其制造方法。其中磁阻传感器包括半导体衬底;绝缘层,位于半导体衬底上;第一氮化钽层,位于绝缘层上;坡莫合金层,位于所述第一氮化钽层上;第二氮化钽层,位于所述坡莫合金层上;其特殊之处在于:还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层,以及,位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。
Claim一种磁阻传感器, 包括半导体衬底; 绝缘层,位于半导体衬底上; 第一氮化钽层,位于绝缘层上; 坡莫合金层,位于所述第一氮化钽层上; 第二氮化钽层,位于所述坡莫合金层上; 其特征在于:还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层, 以及,位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。
Subject AreaH01l43/08
MOST Discipline CatalogueH01
Copyright Date2018-12-21
DOIH01L43
Application Date2018-03-28
Patent NumberCN201810264918.5
Language中文
Status申请中
Application NumberCN201810264918.5
PCT Attributes
Open (Notice) NumberCN108346738A
IPC Classification NumberH01L43/08 ; H01L43/12
Patent Agent倪金荣
Agency西安智邦专利商标代理有限公司
Citation statistics
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31046
Collection其它单位_其它部门
Affiliation中国科学院西安光学精密机械研究所
First Author Affilication中国科学院西安光学精密机械研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
张文伟. 一种磁阻传感器及其制造方法. CN201810264918.5[P]. 2018-12-21.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
2018102649185.pdf(933KB)专利 暂不开放CC BY-NC-SAApplication Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[张文伟]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[张文伟]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[张文伟]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.