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基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪
Alternative Title基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪
杨阳; 曹伟伟; 王博; 白永林; 秦文强; 陈震; 徐鹏; 朱炳林; 缑永胜; 高佳瑞; 白晓红; 秦君军
2018-11-27
Rights Holder中国科学院西安光学精密机械研究所
Date Available2018-11-27
Country中国
Subtype实用新型
Contribution Rank1
Abstract本实用新型涉及一种基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪,解决了现有紫外成像仪灵敏度低、噪声大、成本高、结构复杂、体积重量较大等问题。该紫外成像仪包括光机系统、紫外电子轰击有源像素传感器、高压选通脉冲模块、读出电子学系统、图像处理与控制系统;光机系统包括成像镜头和滤波片;高压选通脉冲模块分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接;读出电子学系统分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接;紫外电子轰击有源像素传感器包括阴极窗口、紫外光电阴极、管壳和背照式CMOS芯片;紫外光电阴极设置在阴极窗口的内表面;背照式CMOS芯片设置在管壳内部。
Claim一种基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪,其特征在于:包括光机系统(1)、紫外电子轰击有源像素传感器(2)、高压选通脉冲模块(3)、读出电子学系统(4)、图像处理与控制系统(5); 所述光机系统(1)包括成像镜头(11)和滤波片(12),图像处理与控制系统(5)控制完成成像镜头(11)的变焦和滤波片(12)的切换; 所述高压选通脉冲模块(3)分别与紫外电子轰击有源像素传感器(2)、图像处理与控制系统(5)连接,实现紫外电子轰击有源像素传感器(2)对紫外增强探测和可见光探测工作模式的切换; 所述读出电子学系统(4)分别与紫外电子轰击有源像素传感器(2)、图像处理与控制系统(5)连接; 所述紫外电子轰击有源像素传感器(2)包括阴极窗口(21)、紫外光电阴极(22)、管壳(23)和背照式CMOS芯片(24);所述阴极窗口(21)设置在管壳(23)的一端,并与管壳(23)形成真空腔体; 所述紫外光电阴极(22)设置在阴极窗口(21)的内表面;所述滤波片(12)位于成像镜头(11)和阴极窗口(21)之间,使经过成像镜头(11)的光线均能经过滤波片(12);所述背照式CMOS芯片(24)设置在管壳(23)内部,并与紫外光电阴极(22)平行设置;所述背照式CMOS芯片(24)包括由上至下依次设置的表面钝化层(241)、扩散层(242)、读出电路层(243)和衬底层(244);所述管壳(23)底部设有电信号通路(25),所述电信号通路(25)分别与背照式CMOS芯片(24)、读出电子学系统(4)连接。
Copyright Date2018-11-27
Application Date2018-05-11
Patent NumberCN201820702525.3
Language中文
Status已授权
Application NumberCN201820702525.3
PCT Attributes
Open (Notice) NumberCN208155458U
IPC Classification NumberG01J3/28 ; G01J3/00 ; G02B1/00
Patent Agent杨引雪
Agency西安智邦专利商标代理有限公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30926
Collection其它单位_其它部门
Affiliation中国科学院西安光学精密机械研究所
First Author Affilication中国科学院西安光学精密机械研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
杨阳,曹伟伟,王博,等. 基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪. CN201820702525.3[P]. 2018-11-27.
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2018207025253.pdf(976KB)专利 暂不开放CC BY-NC-SAApplication Full Text
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