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一种全光固态超快光探测器的制备方法
曹伟伟; 王博; 徐鹏; 白永林; 白晓红; 朱炳利; 缑永胜; 秦君军; 刘白玉
2017-01-23
公开日期2017-07-07
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明属于超快诊断技术和半导体技术领域,具体涉及一种全光固态超快光探测器的制备方法,其特殊之处在于:包括以下步骤:1)在GaAs衬底上生长腐蚀停层,然后在腐蚀停层上低温生长2?5um的低温GaAs作为功能材料层,所述GaAs衬底、腐蚀停层和功能材料层共同组成外延片;2)在外延片的功能材料层上蒸镀多层介质膜作为上DBR;3)在石英基片上旋涂紫外固化胶,然后将镀完上DBR的外延片倒扣在带胶的石英基片上;4)将GaAs衬底逐渐减薄,直至使GaAs衬底消失并露出腐蚀停层;5)在露出的腐蚀停层上镀多层介质膜作为下DBR。主要解决了全光固态超快光探测器制作难度高的问题。
主权项1)外延片制备:在GaAs衬底上生长腐蚀停层,然后在腐蚀停层上低温生长2-5um的低温 GaAs作为功能材料层,所述GaAs衬底、腐蚀停层和功能材料层共同组成外延片;
授权日期2017-08-01
专利号CN201710058864.2
语种中文
专利状态审查中-实审
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29727
专题精密物理量测量实验室
作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
曹伟伟,王博,徐鹏,等. 一种全光固态超快光探测器的制备方法. CN201710058864.2[P]. 2017-01-23.
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