| 一种半导体锥形激光器 |
| 李秀山; 王贞福; 杨国文
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| 2016-06-23
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| 公开日期 | 2016-10-12
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明提出了一种新的半导体锥形激光器(表面电极结构)，既克服了现有电极集成一起的锥形激光器在高电流注入时光束质量变差的问题，同时避免了现有电极分离的锥形激光器散热差，制作复杂等问题。该半导体锥形激光器将脊型波导表面电极切割分段，去掉脊型波导表面的部分电极，减小脊型波导表面的电极面积，这样，正极电源电极(块)整体压接在P面电极的脊型区部位时，减小注入脊型波导的电流分量，降低脊型波导有源区的电流密度，进而在高电流注入条件下提高锥形激光器的光束质量。本发明综合了现有的两类锥形激光器的优点，具有脊型波导内注入电流低，制作简单，散热好，光束质量好的特点。 |
| 主权项 | 0001.1.一种半导体锥形激光器，包括依次设置的N面电极、N面衬底、N面包层、限制层、P面包层和P面电极，其中限制层、P面包层和P面电极整体上分为脊型区和放大区，其特征在于：P面电极的脊型区部位由若干个相间隔的小电极组成。 |
| 授权日期 | 2016-11-09
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| 专利号 | CN201610472021.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 审查中-实审
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29629
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| 专题 | 瞬态光学研究室
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| 作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李秀山,王贞福,杨国文. 一种半导体锥形激光器. CN201610472021.2[P]. 2016-06-23.
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