Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 衬底抛光新工艺对MOCVD外延质量影响的研究 | |
| 孙岳琴 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 张济康 |
| 1991 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
| 学位专业 | 电子离子及真空物理 |
| 摘要 | 本文论述了GaAs材料的衬底抛光工艺的重要性。选用了化学机械的抛光方法。分析了抛光过程中的主要化学反应，通过实验取得了一组合适的抛光参数条件（溶液的配比，温度，控制电压，溶液的存放时间等）。指出了这些参数对抛光速率和表面形貌的影响。由于GaAs（100）和（111）面结构上的差异，导致其性质的差异提出了适合两者镜面抛光的溶液配比，分析了抛光表面产生异常现象的原因。分析了MOCVD中的主要化学瓜理论计算了反应系统中各气相反应物的分压，讨论了不同衬底质量对MOCVD外延层的影响。抛光工艺是外延前的一个着急步骤，以前很少有人系统地做过这方面的工作，本文则大量地做了这方面的工作，而且通过MOCVD的外延生长结果阐明了其重要性。 |
| 学科领域 | 电子离子及真空物理 |
| 页数 | 60 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/14234 |
| 专题 | 中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙岳琴. 衬底抛光新工艺对MOCVD外延质量影响的研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.,1991. |
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