极性/非极性材料－CaAs/Ge, GaP/Si MOCVD生长及特性研究

OPT OpenIR > 中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)

	极性/非极性材料－CaAs/Ge, GaP/Si MOCVD生长及特性研究
	赵星
学位类型	硕士
导师	高鸿楷
	1993
学位授予单位	中国科学院西安光学精密机械研究所.
学位专业	电子离子与真空物理
关键词	半导体薄膜材料生长技术
摘要	本文介绍了MOCVD技术的发展过程，生长原理及其发展前沿。简要描述了异质外延的特点，生长机制，存在的问题及解决办法。在此基础上用自己设计制造的MOCVD系统对GaAs/Ge、Gap/Si异质外延进行系统的实验研究，探讨了温度、V/III、和衬底晶向等工艺参数对外延质量的影响，总结出较成熟的外延工艺，长出了高质量的外延片，并对外延层的结晶完整性，光电特性进行测试、分析和研究。
学科领域	电子离子与真空物理
页数	71
语种	中文
文献类型	学位论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12770
专题	中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
推荐引用方式 GB/T 7714	赵星. 极性/非极性材料－CaAs/Ge, GaP/Si MOCVD生长及特性研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.,1993.