透射式NEA光阴极中Ga_(1-x)Al_xAs缓冲层的液相外延

OPT OpenIR > 中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)

	透射式NEA光阴极中Ga_(1-x)Al_xAs缓冲层的液相外延
	柯毛龙
学位类型	硕士
导师	侯洵,张济康
	1987
学位授予单位	中国科学院西安光学精密机械研究所.
学位专业	电子物理和离子束物理
摘要	本文是负电子亲和势光阴极研制中的一部分，它首先论述了Ga_(1-x)Al_xAs缓冲层的液相外延生长的原理和工艺。随后报道了我们生长的Ga_(1-x)Al_xAs处延片的俄歇能谱，组分x值，表面形貌及掺Zn结果，并且比较全面地解释了各处表面形貌的特点及形成机理。本文强调了两上较重要的结果：一是有实用价值的大组分x值Ga_(1-x)Al_xAs处延片已被生长出来；二是外延片的表面形貌与衬底表面在（100）方向的偏离角度θ之间的定量关系被实验确定下来，且与以往的结果不同，以往有人把7°或4'作为偏离的临介值，而我们的结论是：当θ ≥ 5°时，表面形貌极差，外延难以进行，而当θ ≤ 3°时，可以生长出表面平整光亮的处延片。
学科领域	电子物理和离子束物理
页数	70
语种	中文
文献类型	学位论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12550
专题	中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
推荐引用方式 GB/T 7714	柯毛龙. 透射式NEA光阴极中Ga_(1-x)Al_xAs缓冲层的液相外延[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.,1987.