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高阻紫外光阴极导电基底制备及性能
Zhao Feifei(赵菲菲); Zhao Baosheng(赵宝升); Wei Yonglin(韦永林); Zhang Xinghua(张兴华); Sai Xiaofeng(赛小锋); Zou Wei(邹玮)
作者部门光电子学研究室
2010
发表期刊光学学报
ISSN0253-2239
卷号30期号:4页码:1211-1216
收录类别EI
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/10021
专题光电子学研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhao Feifei(赵菲菲),Zhao Baosheng(赵宝升),Wei Yonglin(韦永林),等. 高阻紫外光阴极导电基底制备及性能[J]. 光学学报,2010,30(4):1211-1216.
APA Zhao Feifei,Zhao Baosheng,Wei Yonglin,Zhang Xinghua,Sai Xiaofeng,&Zou Wei.(2010).高阻紫外光阴极导电基底制备及性能.光学学报,30(4),1211-1216.
MLA Zhao Feifei,et al."高阻紫外光阴极导电基底制备及性能".光学学报 30.4(2010):1211-1216.
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