高阻紫外光阴极导电基底制备及性能 | |
Zhao Feifei(赵菲菲); Zhao Baosheng(赵宝升); Wei Yonglin(韦永林)![]() | |
作者部门 | 光电子学研究室 |
2010 | |
发表期刊 | 光学学报
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ISSN | 0253-2239 |
卷号 | 30期号:4页码:1211-1216 |
收录类别 | EI |
语种 | 中文 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/10021 |
专题 | 光电子学研究室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhao Feifei(赵菲菲),Zhao Baosheng(赵宝升),Wei Yonglin(韦永林),等. 高阻紫外光阴极导电基底制备及性能[J]. 光学学报,2010,30(4):1211-1216. |
APA | Zhao Feifei,Zhao Baosheng,Wei Yonglin,Zhang Xinghua,Sai Xiaofeng,&Zou Wei.(2010).高阻紫外光阴极导电基底制备及性能.光学学报,30(4),1211-1216. |
MLA | Zhao Feifei,et al."高阻紫外光阴极导电基底制备及性能".光学学报 30.4(2010):1211-1216. |
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