×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
资助项目
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
半导体激光器专利数据... [3]
作者
文献类型
专利 [3]
发表日期
2014 [3]
语种
出处
资助项目
收录类别
资助机构
×
知识图谱
OPT OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2014
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
发明人:
善积祐介
;
盐谷阳平
;
京野孝史
;
足立真宽
;
德山慎司
;
住友隆道
;
上野昌纪
;
池上隆俊
;
片山浩二
;
中村孝夫
Adobe PDF(2301Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:77/0
  |  
提交时间:2019/12/24
III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
发明人:
善积祐介
;
盐谷阳平
;
京野孝史
;
足立真宽
;
德山慎司
;
住友隆道
;
上野昌纪
;
池上隆俊
;
片山浩二
;
中村孝夫
Adobe PDF(2292Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:88/0
  |  
提交时间:2020/01/13
III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
发明人:
善积祐介
;
盐谷阳平
;
京野孝史
;
足立真宽
;
秋田胜史
;
上野昌纪
;
住友隆道
;
德山慎司
;
片山浩二
;
中村孝夫
;
池上隆俊
Adobe PDF(1699Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:66/0
  |  
提交时间:2019/12/26