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Indium gallium nitride smoothing structures for iii-nitride devices 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20020171091A1, 申请日期: 2002-11-21, 公开日期: 2002-11-21
发明人:  GOETZ, WERNER K.;  CAMRAS, MICHAEL D.;  GARDNER, NATHAN F.;  KERN, R. SCOTT;  KIM, ANDREW Y.;  STOCKMAN, STEPHEN A.
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