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ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104143760A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12
发明人:  魏志鹏;  田珊珊;  方铉;  唐吉龙;  李金华;  方芳;  楚学影;  王晓华;  王菲
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铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103696010A, 申请日期: 2014-04-02, 公开日期: 2014-04-02
发明人:  代丽;  焦珊珊;  赵丽丽;  李大勇;  林家齐;  代明;  徐超
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