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原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN108588679A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
发明人:  朱香平;  邹永星;  赵卫;  郭海涛;  陆敏;  许彦涛;  张文松
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原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN108588680A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
发明人:  朱香平;  邹永星;  赵卫;  郭海涛;  陆敏;  许彦涛;  张文松
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原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810489471.1, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
发明人:  朱香平;  邹永星;  赵卫;  郭海涛;  陆敏;  许彦涛;  张文松
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原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810489472.6, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28
发明人:  朱香平;  邹永星;  赵卫;  郭海涛;  陆敏;  许彦涛;  张文松
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