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AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102508940B, 申请日期: 2013-07-31, 公开日期: 2013-07-31
发明人:  张迪;  赵立萍;  孙文军;  孙京南;  李孟洋;  支洪武;  李娟
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