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一种基于半导体界面异质节结构的激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105576504A, 申请日期: 2016-05-11, 公开日期: 2016-05-11
发明人:  苏辉;  陈阳华;  林中晞;  林琦
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一种InP沟槽腐蚀方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105576499A, 申请日期: 2016-05-11, 公开日期: 2016-05-11
发明人:  苏辉;  张鹏
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基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102457018B, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2016-03-23
发明人:  苏辉
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